Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
19A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
44nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3710pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
-