Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
89A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA (Min)
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
50nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
89W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-Pak
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63