Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.6A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
281pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.13W
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3