Vishay Semiconductor Diodes Division - V8P10HM3/86A

KEY Part #: K6444062

[2578дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    V8P10HM3/86A
    Истеҳсолкунанда:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Тавсифи муфассал:
    DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда and Диодҳо - Зенер - Массивҳо ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V8P10HM3/86A electronic components. V8P10HM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V8P10HM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V8P10HM3/86A Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : V8P10HM3/86A
    Истеҳсолкунанда : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Тавсифи : DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    Серияхо : eSMP®, TMBS®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи диод : Schottky
    Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 100V
    Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 8A
    Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 680mV @ 8A
    Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -
    Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 70µA @ 100V
    Иқтидори @ Vr, F : -
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи / Парвандаи : TO-277, 3-PowerDFN
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-277A (SMPC)
    Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -40°C ~ 150°C

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.