Рақами Қисм :
TPC8223-H,LQ(S
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
17nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1190pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP