Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
500mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.35V @ 500mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
50ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-213AA (Glass)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-213AA (GL34)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C