Rohm Semiconductor - RQ3E150GNTB

KEY Part #: K6405352

RQ3E150GNTB Нархгузорӣ (доллари ИМА) [515695дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.07929
  • 3,000 pcs$0.07890

Рақами Қисм:
RQ3E150GNTB
Истеҳсолкунанда:
Rohm Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо and Тиристорҳо - SCRs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E150GNTB electronic components. RQ3E150GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E150GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E150GNTB Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : RQ3E150GNTB
Истеҳсолкунанда : Rohm Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 15.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2W (Ta), 17.2W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-HSMT (3.2x3)
Бастаи / Парвандаи : 8-PowerVDFN

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед