Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
64A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
33nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1650pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
94W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-262
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA