Infineon Technologies - FP40R12KT3BOSA1

KEY Part #: K6532524

FP40R12KT3BOSA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1016дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$45.72748

Рақами Қисм:
FP40R12KT3BOSA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
IGBT MODULE VCES 1200V 40A.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Тиристорҳо - SCRs, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - RF and Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies FP40R12KT3BOSA1 electronic components. FP40R12KT3BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP40R12KT3BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP40R12KT3BOSA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FP40R12KT3BOSA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : -
Танзимот : Three Phase Inverter
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 55A
Ҳокимият - Макс : 210W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 40A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 5mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 2.5nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : Yes
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 125°C
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Module

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.