Рақами Қисм :
NDD01N60-1G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 50µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.2nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
46W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA