Microsemi Corporation - APT47N60BC3G

KEY Part #: K6397735

APT47N60BC3G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [6520дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$6.94984
  • 10 pcs$6.31920
  • 100 pcs$5.37138

Рақами Қисм:
APT47N60BC3G
Истеҳсолкунанда:
Microsemi Corporation
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microsemi Corporation APT47N60BC3G electronic components. APT47N60BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT47N60BC3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT47N60BC3G Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : APT47N60BC3G
Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 7015pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 417W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247 [B]
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.