Рақами Қисм :
SQD100N02-3M5L_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
110nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252AA
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63