Рақами Қисм :
TK62N60W,S1VF
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
61.8A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 3.1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
180nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6500pF @ 300V
Хусусияти FET :
Super Junction
Тақсимоти барқ (Макс) :
400W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3