Рақами Қисм :
IPB108N15N3GATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
83A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 160µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
55nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3230pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
214W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D²PAK (TO-263AB)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB