IXYS - IXFT30N60Q

KEY Part #: K6410418

IXFT30N60Q Нархгузорӣ (доллари ИМА) [7589дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$5.97148

Рақами Қисм:
IXFT30N60Q
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF and Транзисторҳо - IGBTs - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFT30N60Q electronic components. IXFT30N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N60Q Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFT30N60Q
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3
Серияхо : HiPerFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 500W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-268
Бастаи / Парвандаи : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед