S1J-KR2G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2511991дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.01472
- Рақами Қисм:
- S1J-KR2G
- Истеҳсолкунанда:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Тавсифи муфассал:
- STANDARD RECOVERY RECTIFIER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2G electronic components. S1J-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1J-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1J-KR2G Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
S1J-KR2G
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
STANDARD RECOVERY RECTIFIER
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.1V @ 1A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
1.5µs
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
1µA @ 600V
Иқтидори @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-214AC, SMA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-214AC (SMA)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
BAS70-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single
Қисмҳои гарм
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73