Vishay Siliconix - SIS990DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525348

SIS990DN-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [214380дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.17253
  • 3,000 pcs$0.16201

Рақами Қисм:
SIS990DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIS990DN-T1-GE3 electronic components. SIS990DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS990DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS990DN-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIS990DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : 2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET : Standard
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 8nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 50V
Ҳокимият - Макс : 25W
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® 1212-8 Dual
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® 1212-8 Dual

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед