Infineon Technologies - BSC097N06NSTATMA1

KEY Part #: K6420724

BSC097N06NSTATMA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [238787дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15490

Рақами Қисм:
BSC097N06NSTATMA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 electronic components. BSC097N06NSTATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC097N06NSTATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC097N06NSTATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BSC097N06NSTATMA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : DIFFERENTIATED MOSFETS
Серияхо : OptiMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 48A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 14µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1075pF @ 30V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 3W (Ta), 43W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PG-TDSON-8
Бастаи / Парвандаи : 8-PowerTDFN

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед