Истеҳсолкунанда :
Texas Instruments
Тавсифи :
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
236pF @ 6V
Тақсимоти барқ (Макс) :
500mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
3-PICOSTAR
Бастаи / Парвандаи :
3-XFDFN