Рақами Қисм :
DMN10H170SFG-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
870.7pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
940mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerDI3333-8
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN