Рақами Қисм :
BSC027N04LSGATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
24A (Ta), 100A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 49µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
85nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN