Infineon Technologies - BSC027N04LSGATMA1

KEY Part #: K6420735

BSC027N04LSGATMA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [124569дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.29692
  • 5,000 pcs$0.23261

Рақами Қисм:
BSC027N04LSGATMA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies BSC027N04LSGATMA1 electronic components. BSC027N04LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC027N04LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC027N04LSGATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BSC027N04LSGATMA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Серияхо : OptiMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 49µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 20V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PG-TDSON-8
Бастаи / Парвандаи : 8-PowerTDFN

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед