SBR2A40P1-7 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [618813дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.05977
- 3,000 pcs$0.05384
- 6,000 pcs$0.05058
- 15,000 pcs$0.04731
- 30,000 pcs$0.04340
- Рақами Қисм:
- SBR2A40P1-7
- Истеҳсолкунанда:
- Diodes Incorporated
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SBR 40V 2A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 2.0A 40V Low VF
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Тиристорҳо - TRIACs ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR2A40P1-7 electronic components. SBR2A40P1-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR2A40P1-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR2A40P1-7 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
SBR2A40P1-7
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
DIODE SBR 40V 2A POWERDI123
Серияхо :
SBR®
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Super Barrier
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
40V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
2A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
500mV @ 2A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
100µA @ 40V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
POWERDI®123
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerDI™ 123
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Қисмҳои гарм
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR