Vishay Siliconix - SI4829DY-T1-E3

KEY Part #: K6392831

SI4829DY-T1-E3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [406296дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.09149
  • 2,500 pcs$0.09104

Рақами Қисм:
SI4829DY-T1-E3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - RF and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI4829DY-T1-E3 electronic components. SI4829DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4829DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4829DY-T1-E3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI4829DY-T1-E3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Серияхо : LITTLE FOOT®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 10V
Хусусияти FET : Schottky Diode (Isolated)
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO
Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед