ES2F-M3/52T Нархгузорӣ (доллари ИМА) [777530дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.05020
- 9,000 pcs$0.04995
- Рақами Қисм:
- ES2F-M3/52T
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35NS,UF Rect,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус and Тиристорҳо - TRIACs ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2F-M3/52T electronic components. ES2F-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2F-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2F-M3/52T Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
ES2F-M3/52T
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
300V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
2A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.1V @ 2A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
50ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 300V
Иқтидори @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-214AA, SMB
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-214AA (SMB)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Қисмҳои гарм
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215