Рақами Қисм :
IPD50N06S409ATMA2
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 34µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
47.1nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3785pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
71W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO252-3-11
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63