[3166дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- PMEG1201AESFYL
- Истеҳсолкунанда:
- Nexperia USA Inc.
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона and Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG1201AESFYL electronic components. PMEG1201AESFYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG1201AESFYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG1201AESFYL Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
PMEG1201AESFYL
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Obsolete
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
12V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
100mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
200mV @ 30mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
2.2ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
2mA @ 12V
Иқтидори @ Vr, F :
26pF @ 1V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
0201 (0603 Metric)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DSN0603-2
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
125°C (Max)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Қисмҳои гарм
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54