Рақами Қисм :
PSMN1R1-30EL,127
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
243nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
14850pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
338W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I2PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA