Тавсифи :
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
Технология :
GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
90A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 14mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1650pF @ 40V
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Die