Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Силсилаи интегралӣ (IC)
  4. Хотира
  5. TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI4

KEY Part #: K929459

TH58NYG3S0HBAI4 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [10841дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$4.22631
Рақами Қисм:
TH58NYG3S0HBAI4
Истеҳсолкунанда:
Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи муфассал:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Идоракунии нерӯи барқ ​​- махсус, Мантиқ - ҳисобкунакҳо, тақсимкунандагон, Гирифтани маълумот - Ҷаласаи аналогии пешина (AFE), Мантиқ - дарвозаҳо ва тағирдиҳандаҳо, Соат / Вақт - Батареяҳои IC, Мантиқ - Генераторҳо ва санҷандагон, PMIC - Ронандагони лазерӣ and Ба даст овардани маълумот - Потенциометрҳои рақамӣ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG3S0HBAI4 electronic components. TH58NYG3S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NYG3S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI4 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : TH58NYG3S0HBAI4
Истеҳсолкунанда : Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди хотира : Non-Volatile
Формати хотира : FLASH
Технология : FLASH - NAND (SLC)
Андозаи хотира : 8Gb (1G x 8)
Фосилаи соат : -
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа : 25ns
Вақти дастрасӣ : 25ns
Интерфейси хотира : Parallel
Шиддат - Таъмин : 1.7V ~ 1.95V
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 63-VFBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 63-TFBGA (9x11)

Охирин хабарҳо

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • TH58NYG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • M93S56-WMN6T

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

  • M95020-RMB6TG

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

  • BR93L66FJ-WE2

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOPJ. EEPROM McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 EEPROM

  • IDT71V416VL12PHI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

  • IDT71V416VL12PH8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

Қисмҳои гарм