ON Semiconductor - FQU8P10TU

KEY Part #: K6419478

FQU8P10TU Нархгузорӣ (доллари ИМА) [114050дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.32431
  • 5,040 pcs$0.10401

Рақами Қисм:
FQU8P10TU
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона and Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FQU8P10TU electronic components. FQU8P10TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU8P10TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU8P10TU Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FQU8P10TU
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Серияхо : QFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 6.6A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : I-PAK
Бастаи / Парвандаи : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед