Рақами Қисм :
IRFN214BTA_FP001
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
250V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
600mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
275pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.8W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-92-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)