Central Semiconductor Corp - CTLDM8120-M621H BK

KEY Part #: K6400442

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Диодҳо - Zener - Ягона ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M621H BK electronic components. CTLDM8120-M621H BK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM8120-M621H BK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : CTLDM8120-M621H BK

Истеҳсолкунанда : Central Semiconductor Corp

Тавсифи : MOSFET P-CH 20V DFN6

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи FET : P-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 20V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 950mA (Ta)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.56nC @ 4.5V

Vgs (Макс) : 8V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 16V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 1.6W (Ta)

Ҳарорати амалиётӣ : -65°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TLM621H

Бастаи / Парвандаи : 6-XFDFN Exposed Pad

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

PMN50EPEX

Nexperia USA Inc.

PMN50EPE/SOT457/SC-74.
PMN25ENEX

Nexperia USA Inc.

PMN25ENE/SOT457/SC-74.
PMN28UNEX

Nexperia USA Inc.

PMN28UNE/SOT457/SC-74.
PMN230ENEX

Nexperia USA Inc.

PMN230ENE/SOT457/SC-74.
TPCC8103(TE12L,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.
CSD18536KCS

Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.