Рақами Қисм :
RN2906(T5L,F,T)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Навъи транзистор :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
4.7 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
47 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
100nA (ICBO)
Фосила - гузариш :
200MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
US6