Vishay Siliconix - SIRA12BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6395904

SIRA12BDP-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [307949дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.12011

Рақами Қисм:
SIRA12BDP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CHAN 30V.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA12BDP-T1-GE3 electronic components. SIRA12BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA12BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA12BDP-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIRA12BDP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CHAN 30V
Серияхо : TrenchFET® Gen IV
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Макс) : +20V, -16V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 5W (Ta), 38W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SO-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед