NRVTS2H60ESFT3G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1300353дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.02844
- Рақами Қисм:
- NRVTS2H60ESFT3G
- Истеҳсолкунанда:
- ON Semiconductor
- Тавсифи муфассал:
- TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER. Schottky Diodes & Rectifiers TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Модулҳои драйвери барқ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in ON Semiconductor NRVTS2H60ESFT3G electronic components. NRVTS2H60ESFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVTS2H60ESFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVTS2H60ESFT3G Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
NRVTS2H60ESFT3G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
60V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
2A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
650mV @ 2A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
12µA @ 2A
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOD-123F
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOD-123FL
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Қисмҳои гарм
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A