Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB50YF120N

KEY Part #: K6534308

VS-GB50YF120N Нархгузорӣ (доллари ИМА) [587дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$78.96530
  • 12 pcs$65.09259

Рақами Қисм:
VS-GB50YF120N
Истеҳсолкунанда:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи муфассал:
IGBT 1200V 66A 330W ECONO.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50YF120N electronic components. VS-GB50YF120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB50YF120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB50YF120N Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : VS-GB50YF120N
Истеҳсолкунанда : Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи : IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : -
Танзимот : -
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 66A
Ҳокимият - Макс : 330W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 4.5V @ 15V, 75A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 250µA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : -
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : ECONO2 4PACK

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.