GeneSiC Semiconductor - MBR20060CT

KEY Part #: K6468500

Тавсифи муфассал:: DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 200A Schottky Recovery

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20060CT electronic components. MBR20060CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20060CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MBR20060CT

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : 1 Pair Common Cathode

Навъи диод : Schottky

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 60V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 200A (DC)

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 750mV @ 100A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 5mA @ 20V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Twin Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Twin Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.

Қисмҳои гарм