Рақами Қисм :
SIB900EDK-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
1.7nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SC-75-6L Dual