Рақами Қисм :
SISS42DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Серияхо :
TrenchFET® Gen IV
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
38nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® 1212-8S
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® 1212-8S