Рақами Қисм :
SI2367DS-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
23nC @ 8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
561pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-3 (TO-236)
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3