Vishay Siliconix - SI2367DS-T1-GE3

KEY Part #: K6416851

SI2367DS-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [575693дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Рақами Қисм:
SI2367DS-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3 electronic components. SI2367DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2367DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2367DS-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI2367DS-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 561pF @ 10V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3 (TO-236)
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.