Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.8nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 15V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Isolated)
Тақсимоти барқ (Макс) :
2W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)