Рақами Қисм :
SIHB120N60E-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
45nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1562pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
179W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D²PAK (TO-263)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB