Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-GE3

KEY Part #: K6522091

SI7904BDN-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [178816дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.20685
  • 3,000 pcs$0.17480

Рақами Қисм:
SI7904BDN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI7904BDN-T1-GE3 electronic components. SI7904BDN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7904BDN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7904BDN-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI7904BDN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : 2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET : Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 10V
Ҳокимият - Макс : 17.8W
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® 1212-8 Dual
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® 1212-8 Dual

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед