Истеҳсолкунанда :
Transphorm
Тавсифи :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
42nC @ 8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2197pF @ 400V
Тақсимоти барқ (Макс) :
178W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3