Рақами Қисм :
IPL60R2K1C6SATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 8TSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
21.6W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Thin-PAK (5x6)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN