GL41J-E3/97 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1025340дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.03807
- 10,000 pcs$0.03788
- Рақами Қисм:
- GL41J-E3/97
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41J-E3/97 electronic components. GL41J-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41J-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL41J-E3/97 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
GL41J-E3/97
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Серияхо :
SUPERECTIFIER®
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.1V @ 1A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 600V
Иқтидори @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-213AB, MELF (Glass)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-213AB
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Қисмҳои гарм
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G