Рақами Қисм :
TK9A90E,S4X
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
900V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
46nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220SIS
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3 Full Pack