Microchip Technology - VN2110K1-G

KEY Part #: K6405186

VN2110K1-G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [252214дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15025
  • 3,000 pcs$0.14950

Рақами Қисм:
VN2110K1-G
Истеҳсолкунанда:
Microchip Technology
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Zener - Ягона, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Диодҳо - Rectifiers Bridge ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microchip Technology VN2110K1-G electronic components. VN2110K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VN2110K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN2110K1-G Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : VN2110K1-G
Истеҳсолкунанда : Microchip Technology
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tj)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 360mW (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед