Vishay Siliconix - SIR892DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416075

SIR892DP-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [12190дона саҳҳомӣ]

  • 3,000 pcs$0.56500

Рақами Қисм:
SIR892DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIR892DP-T1-GE3 electronic components. SIR892DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR892DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR892DP-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIR892DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Obsolete
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 2645pF @ 10V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 5W (Ta), 50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SO-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.