Рақами Қисм :
SQM200N04-1M7L_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
291nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
11168pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
375W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263-7
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)